［ＨＯＭＥ］磁気センサー：［ＭＲ］［ＨＡＬＬ］ 電源ＩＣ：［V/R:Voltage Regulator］［V/D:Voltage Detector］［ＢＰ：Battery Protection］ 水晶発振器［ＳＰＸＯ：ＣＭＯＳ］［ＳＰＸＯ：ＬＶＤＳ］［ＳＰＸＯ：ＬＶＰＥＣＬ］ 電圧制御水晶発振器［ＶＣＸＯ：ＣＭＯＳ］［ＶＣＸＯ：ＬＶＤＳ］［ＶＣＸＯ：ＬＶＰＥＣＬ］ 温度制御水晶発振器［ＴＣＸＯ：32.768KHz］ 恒温槽制御水晶発振器［ＯＣＸＯ：７０５０ＳＭＤ］［ＯＣＸＯ：１４ＰＩＮ−ＤＩＰ］ ［ＯＣＸＯ：ＣＭＯＳ］［ＯＣＸＯ：ＬＶＤＳ］［ＯＣＸＯ：ＬＶＰＥＣＬ］ＣＭＯ［ＣＭＯ］［ＶＣＭＯ] アナセムグループはアナログＣＭＯＳ　ＩＣを差別化技術にしたアナログＩＣと水晶発振器 の総合メーカです。製品企画・製品開発・製造・販売までを一貫して提供します。 差別化したアナログＣＭＯＳＩＣと水晶技術及びモジュール技術によりシステムの高性能化・小型化・ 高信頼性化をターゲットにして、ＣＭＯＳクロック・電源分野のエキスパート・カンパニーとしてお役立ちします   ■差別化技術 ★ＣＭＯＳアナログＩＣ技術（低消費電流技術・電圧・電流制御技術・温度制御技術・ノイズ制御技術） ★高周波・高精度水晶技術・小型水晶技術・センサー水晶技術・半導体加工水晶技術 ★高密度実装技術・レーザトリミング技術・温度特性加工テスト技術　    ■製品分野 ★アナログＣＭＯＳ　ＩＣ ●スタンダードＩＣ：当社が企画したクロック・電源分野のＩＣです。順次ラインアップを強化しております ●カスタムＩＣ：当社固有の要素技術を駆使してカストマーのシステム差別化に貢献しています ★水晶発振器(ＳＰＸＯ・ＶＣＸＯ・ＴＣＸＯ・ＯＣＸＯ) ●スタンダード水晶発振器：当社が企画開発した製品です。基本的には常時在庫をしております ●カスタム水晶発振器：ご要望により、周波数・パッケージ・電圧等あらゆるご要望にお応えします ●短納期セミカスタム水晶発振器：当社の標準品仕様を使用したセミカスタム製品です 　　用意された仕様の中から周波数を選択して頂ければ短納期でお届け致します ★ＣＭＯS ＩＣモジュール ●スタンダードモジュール：当社が開発したＩＣをベースに標準モジュールを提供します ●カスタムモジュール：カスタムＩＣ及び標準ＩＣを使用したモジュールを受注致します     ■製品紹介 ●磁気（MR）センサースイッチ 携帯電話・ノートパソコン等の磁気開閉スイッチ等に使用。高感度を実現 MR膜CMOSモノリシックで構成している為に最小サイズと最高感度を両立 パッケージ面と平行な磁界を検出して、開閉・平行移動・回転の検出可能 ☆パッケージ水平方向の両極性を感知☆動作電圧：１．６Ｖ〜３．５Ｖ ☆消費電流：１．６μＡ/１．８Ｖ ☆磁気感度：１．５ｍＴ ☆パッケージ：SOT-23/2.9×2.8×1.2mm,SON-4/2.1×2.0×0.6mm ☆製品例：ＭＲＸ１５１８ＨNＡ,ＭＲＸ１５１８ＨＴＡ MR    頁トップに↑  ●磁気（ＨＡＬＬ）センサースイッチ 携帯電話・ノートパソコン等の磁気開閉スイッチ等に使用。高感度を実現 ＨＡＬＬ素子をCMOSモノリシックで構成している為に最小サイズと高感度を両立 パッケージ面と垂直な磁界を検出して、開閉・平行移動・回転の検出可能 ☆パッケージ垂直方向のＮ極、Ｓ極、両極性を感知☆動作電圧：３．３Ｖ±５％ ☆消費電流：３．０μＡ/３．３Ｖ ☆磁気感度：３．０ｍＴ ☆パッケージ：SOT-23/2.9×2.8×1.2mm,SON-4/2.1×2.0×0.6mm ☆製品例：ＨＭＸ３０２５ＨＮＡ，ＨＭＸ３０２５ＨＴＡ        頁トップに↑  ●恒温槽制御水晶発振器(ＳＭＤ−ＯＣＸＯ) ＣＭＯＳモノリシック温度制御水晶発振技術で小型化を実現 ☆初期周波数安定度：±０．５ｐｐｍ/-２０〜+７０℃/１０〜７０ＭＨｚ ☆周波数温度特性：±０．１ｐｐｍ/-２０〜+７０℃ ☆位相ノイズ：−１５０ｄＢ/１ＫＨｚ/１０ＭＨｚ ☆Ｗａｒｍ−ＵＰ　Ｔｉｍｅ：１０ｓｅｃ/Ｔｙｐ ☆動作電圧：３．３Ｖ±５％ ☆消費電流：１００ｍＡ／３．３Ｖ ☆パッケージ：７．０×５．０×１．８ｍｍ（１６ｐｉｎ） ☆製品例：ＡＳ０１９２０ＯＨＡ，ＡＳ０２０００ＯＨＡ，ＡＳ０２６００ＯＨＡ     頁トップに↑  ●恒温槽制御水晶発振器(１４ｐｉｎＤｉｐ−ＯＣＸＯ) ＣＭＯＳモノリシック温度制御水晶発振技術で小型化を実現 ☆周波数安定度：±０．１ｐｐｍ/-２０〜+７０℃/１０〜７０ＭＨｚ ☆位相ノイズ：−１５０ｄＢ/１ＫＨｚ/１０ＭＨｚ ☆Ｗａｒｍ−ｕｐ　Ｔｉｍｅ：１０ｓｅｃ/Ｔｙｐ ☆動作温度範囲：-２０〜+７０℃ ☆動作電圧：３．３Ｖ±５％ ☆消費電流：１００ｍＡ／３．３Ｖ ☆パッケージ：２０．３×１３．８×８ｍｍ（１４ｐｉｎ−Ｄｉｐ） ☆製品例：ＡＳ０１９２００ＯＡＡ，ＡＳ０２０００ＯＡＡ，ＡＳ０２６００ＯＡＡ     頁トップに↑  ●高周波恒温槽制御水晶発振器(ＳＭＤ−ＯＣＸＯ) 高周波ＯＣＸＯ−ＣＭＯＳ，ＬＶＤＳ，ＬＶＰＥＣＬ出力で高精度発振器を実現 ☆周波数安定度：±１〜１０ｐｐｍ/-２０〜+７０℃/１０〜２５０ＭＨｚ ☆出力形態：ＣＭＯＳ，ＬＶＤＳ，ＬＶＰＥＣＬ０ ☆動作電圧：３．３Ｖ±５％ ☆消費電流：１００ｍＡ／３．３Ｖ ☆パッケージ：７．０×５．０×１．８ｍｍ（１６ｐｉｎ） ☆製品例：ＡＳ２１２５０ＬＯＨＢ/２１２．５ＭＨｚ-ＬＶＤＳ， 　　　　　 　 ＡＳ２１２５０ＰＯＨＢ/２１２．５ＭＨｚ-ＬＶＰＥＣＬ     頁トップに↑  ●低消費電流３２２５／ＳＭＤ水晶発振器 定電流発振方式の水晶発振ＩＣを開発して超低消費電流と低電圧動作を実現 システムの急激な電源電圧変動に対しても安定した基準クロックを発生 ☆対応周波数：１ＭＨｚ〜２５０ＭＨｚ ☆動作電圧：１．２Ｖ〜５．５Ｖを一つの発振器で使用可能 ☆消費電流：１．０ｍＡ／３．３Ｖ／２４ＭＨｚ ☆パッケージ：３．２×２．５×１．０ｍｍ ☆製品例：ＡＳ２４０００ＳＫＡ，ＡＳ１００００ＳＫＡ      頁トップに↑  ●低電圧・低消費電流ＳＭＤ／ＬＶＰＥＣＬ出力水晶発振器 ＣＭＯＳで１５５ＭＨｚ／３．３Ｖ，２．５ＶのＬＶＰＥＣＬ出力が可能 ☆対応周波数：１ＭＨｚ〜３５０ＭＨｚ ☆動作電圧：２．５Ｖ，３．３Ｖの電圧に対応 ☆消費電流：５０ｍＡ／１５５．５２ＭＨｚ／３．３Ｖ ☆パッケージ：ＳＭＤ（７×５×１．７ｍｍ）６ＰＩＮ ☆製品例：ＡＳ１５５５２ＳＤＰＢ      頁トップに↑  ●低電圧・低消費電流ＳＭＤ／ＬＶＤＳ出力水晶発振器 ＣＭＯＳで１５５ＭＨｚ／１．７ＶからＬＶＤＳ出力が可能 ☆対応周波数：１ＭＨｚ〜２５０ＭＨｚ ☆動作電圧：１．７Ｖ〜５．５Ｖの全ての電圧に対応 ☆消費電流：従来品の１／２以下を実現（２５ｍＡ／１５５ＭＨｚ／３．３Ｖ） ☆パッケージ：ＳＭＤ（７×５×１．７ｍｍ） ☆製品例：ＡＳ１５５５２ＳＤＬＢ      頁トップに↑  ●温度補償型３２．７６８ＫＨｚ水晶発振器 高精度の時計機能と低消費電流スリープモードクロックが実現できます 発振開始時間１００ｍｓｅｃ，最小サイズ、低消費電流、広い動作電圧範囲を実現 モバイルＰＣ，ＰＤＡ，携帯電話等の標準クロックに最適 ☆出力周波数：３２．７６８ＫＨｚ ☆周波数安定度：＋３０〜−６０ｐｐｍ/−１０〜＋６０℃，＋３０〜０ｐｐｍ/２５℃ ☆発振開始時間：ｔｙｐ１００ｍｓｅｃ，ｍａｘ５００ｍｓｅｃ ☆消費電流：ｔｙｐ３μＡ，ｍａｘ５μＡ ☆動作電圧：１．５Ｖ〜５．５Ｖ ☆消費電流：従来品の１／２以下を実現（２５ｍＡ／１５５ＭＨｚ／３．３Ｖ） ☆パッケージ：ＳＭＤ（６．５×４×２．０ｍｍ） ☆製品例：ＡＳ３２７６８ＴＤＡ       頁トップに↑  ●ＭＰＥＧ−２用ＶＣＸＯ電圧制御型水晶発振器 デイジタル画像圧縮ＭＰＥＧ−２用の標準仕様になっている２７ＭＨｚの ＶＣＸＯを７×５×１．７ｍｍのＳＭＤで実現しました。 可変幅は±１５０ｐｐｍ以上の実力があります。 デイジタルＴＶ，ＳＴＢ，ＤＶＤ等のあらゆるＭＰＥＧ−２の画像圧縮器に最適 ☆出力周波数：２７．０００ＭＨｚ ☆周波数可変幅：ｍｉｎ±１１０ｐｐｍ，ｔｙｐ±１５０ｐｐｍ ☆周波数安定度±３０ｐｐｍ/−２０〜＋７０℃ ☆動作電圧：３．３Ｖ±５％，５．０Ｖ±５％ ☆パッケージ：ＳＭＤ（７．０×５．０×１．７ｍｍ） ☆製品例：ＡＳ２７０００ＶＣＡ，ＡＳ２７０００ＶＤＡ    頁トップに↑   ●デイジタルハイビジョンＶＣＸＯ電圧制御型水晶発振器 デイジタルハイビジョン用７４．１７５８２４ＭＨｚ，７４．２５０ＭＨｚの ＶＣＸＯを７×５×１．７ｍｍのＳＭＤで実現。可変幅はＡＰＲ≧±７０ｐｐｍを保証。 ハイビジョン機器の小型・高性能・高信頼性化に最適 ☆出力周波数：７４．１７５８２４ＭＨｚ，７４．２５０ＭＨｚ ☆周波数可変幅：ｍｉｎ±７０ｐｐｍ ☆周波数安定度±３５ｐｐｍ/−２０〜＋７０℃ ☆動作電圧：３．３Ｖ±５％ ☆パッケージ：ＳＭＤ（７．０×５．０×１．７ｍｍ） ☆製品例：ＡＳ７４１７５ＶＤＡ，ＡＳ７４２５０ＶＤＡ       頁トップに↑  ●ＣＭＯＳ-Ｖｏｌｔａｇｅ Ｒｅｇｕｌａｔｅｒ（Ｖ／Ｒ） ＣＭＯＳによるLow Drop out・ 高精度・正電圧シリーズレギュレータです。 低消費電流(VRP)、高速(VRH)、Dual(VRD)シリーズがあります。 ☆高リップル除去率：75dB/1KHz/VRHシリーズ ☆出力電圧精度：±１％(−４０〜８５℃) ☆出力電圧範囲：０．８Ｖ〜５．０Ｖ ☆動作電圧範囲：１．６Ｖ〜６．０Ｖ ☆パッケージ：ＳＯT-２３,ＳＯＴ−２５,ＳＯＴ−２６,ＳＯＮ−６ ☆製品例：ＶＲＰ３０１０ＰＴＡ，ＶＲＨ３０５１ＮＴＡ，ＶＲＤ３Ａ４ＣＮＴＡ　　      頁トップに↑  ●ＣＭＯＳ-Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ （Ｖ／Ｄ） ＣＭＯＳによる高精度電圧検出ICです。標準品(ＶＤＡ),遅延回路付(ＶＤＤ) シリーズがあります。出力はCMOSとNch Open drainがあります。 ☆検出電圧範囲：Ｖｄｅｔ＝０．８〜６．０Ｖ/動作電圧範囲:０．７〜６．０Ｖ ☆検出電圧精度：１％(１．８Ｖ〜６Ｖ) ☆検出電圧温度傾斜：±２０ｐｐｍ/℃（１．８Ｖ≦Ｖｄｅｔ≦６．０Ｖ) ☆遅延時間:Ｓ/１０〜５０ｍｓｅｃ,M/５０〜２００,Ｌ/８０〜４００ｍｓｅｃ ☆パッケージ：ＳＯＴ−２３,ＳＯＮ−４/２．１×２．０×０．６ｍｍ ☆製品例：ＶＤＡ３０１０ＣＴＡ,ＶＤＤ３０１ＳＣＴＡ      頁トップに↑   ●ＣＭＯＳモノリシックオッシレータ(CMO)開発 シリコンのみで高精度クロックを構成。水晶振動子に比較して対振動性が飛躍的に向上。自動車部品として最適。 スプレッドスペクトラム搭載品は安価なEMI対策が可能。 ☆対応周波数：３２ＫＨｚ〜２５０ＭＨｚ ☆全温度範囲周波数精度：±１０００ｐｐｍ／−２０〜＋７０℃ ☆常温周波数範囲：±２００ｐｐｍ／２５℃ ☆スプレッドスペクトラム機能搭載品もシリーズ化 ☆動作電圧：１．８Ｖ，２．５Ｖ．３．３Ｖ，５．０Ｖ±５％ ☆パッケージ：ＳＯＮ−４/２．１×２．０×０．６ｍｍ 　ＳＯＮ−６/２．０×１．８×０．６ｍｍ ☆製品例：ＡＳ３２７６８ＢＮＡ，ＡＳ０１２００ＢＮＡ，ＡＳ１３３００ＢMＡ     頁トップに↑   ●ＣＭＯＳモノリシックＶＣＯ(VCMO)開発 ＣＭＯＳモノリシックＶＣＯ、フリーラン周波数の温度特性･電圧特性改善 によるスプリアス改善 ☆対応周波数：１ＭＨｚ〜２５０ＭＨｚ（レーザプログラム） ☆フリーラン温度偏差＋電圧偏差：≦±１０００ｐｐｍ ☆可変幅：≧±２０００ｐｐｍ ☆動作電圧：１．８Ｖ，２．５Ｖ．３．３Ｖ，５．０Ｖ±５％ ☆パッケージ：ＳＯＮ−６/２．０×１．８×０．６ｍｍ ☆製品例：ＶＣ２７０００ＶＭＢ       頁トップに↑